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Artigo de periodico
Laser interference structuring of a-Ge films on GaAs (2002)
Santos, P V; Zanatta, Antonio Ricardo; Jahn, U; Trampert, A; Dondeo, F; Chambouleyron, Ivan
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Subjects: DIFRAÇÃO POR RAIOS X, ESPECTROSCOPIA MOLECULAR
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ABNT
SANTOS, P V et al. Laser interference structuring of a-Ge films on GaAs. Journal of Applied Physics, v. 91, n. 5, p. 2916-2920, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1448674. Acesso em: 02 maio 2024.
APA
Santos, P. V., Zanatta, A. R., Jahn, U., Trampert, A., Dondeo, F., & Chambouleyron, I. (2002). Laser interference structuring of a-Ge films on GaAs. Journal of Applied Physics, 91( 5), 2916-2920. doi:10.1063/1.1448674
NLM
Santos PV, Zanatta AR, Jahn U, Trampert A, Dondeo F, Chambouleyron I. Laser interference structuring of a-Ge films on GaAs [Internet]. Journal of Applied Physics. 2002 ;91( 5): 2916-2920.[citado 2024 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1448674
Vancouver
Santos PV, Zanatta AR, Jahn U, Trampert A, Dondeo F, Chambouleyron I. Laser interference structuring of a-Ge films on GaAs [Internet]. Journal of Applied Physics. 2002 ;91( 5): 2916-2920.[citado 2024 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1448674
Trabalho de evento-resumo
Pulsed laser crystallization of SiGe alloys on GaAs (2001)
Dondeo, F; Santos, Paulo V; Trampert, A; Zanatta, Antonio Ricardo; Comedi, D; Chambouleyron, I
Source: Program and abstracts. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
DONDEO, F et al. Pulsed laser crystallization of SiGe alloys on GaAs. 2001, Anais.. Guarujá: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2001. . Acesso em: 02 maio 2024.
APA
Dondeo, F., Santos, P. V., Trampert, A., Zanatta, A. R., Comedi, D., & Chambouleyron, I. (2001). Pulsed laser crystallization of SiGe alloys on GaAs. In Program and abstracts. Guarujá: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Dondeo F, Santos PV, Trampert A, Zanatta AR, Comedi D, Chambouleyron I. Pulsed laser crystallization of SiGe alloys on GaAs. Program and abstracts. 2001 ;[citado 2024 maio 02 ]
Vancouver
Dondeo F, Santos PV, Trampert A, Zanatta AR, Comedi D, Chambouleyron I. Pulsed laser crystallization of SiGe alloys on GaAs. Program and abstracts. 2001 ;[citado 2024 maio 02 ]
Artigo de periodico
Epitaxial pulsep laser crystallization of amorphous germanium on GaAs (2001)
Santos, P V; Trampert, A; Dondeo, F; Comedi, D; Zhu, H. J.; Ploog, K. H.; Zanatta, Antonio Ricardo; Chambouleyron, I
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SANTOS, P V et al. Epitaxial pulsep laser crystallization of amorphous germanium on GaAs. Journal of Applied Physics, v. 90, n. 5, p. 2575-2581, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1390312. Acesso em: 02 maio 2024.
APA
Santos, P. V., Trampert, A., Dondeo, F., Comedi, D., Zhu, H. J., Ploog, K. H., et al. (2001). Epitaxial pulsep laser crystallization of amorphous germanium on GaAs. Journal of Applied Physics, 90( 5), 2575-2581. doi:10.1063/1.1390312
NLM
Santos PV, Trampert A, Dondeo F, Comedi D, Zhu HJ, Ploog KH, Zanatta AR, Chambouleyron I. Epitaxial pulsep laser crystallization of amorphous germanium on GaAs [Internet]. Journal of Applied Physics. 2001 ;90( 5): 2575-2581.[citado 2024 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1390312
Vancouver
Santos PV, Trampert A, Dondeo F, Comedi D, Zhu HJ, Ploog KH, Zanatta AR, Chambouleyron I. Epitaxial pulsep laser crystallization of amorphous germanium on GaAs [Internet]. Journal of Applied Physics. 2001 ;90( 5): 2575-2581.[citado 2024 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1390312

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